参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	FDB52N20TMn: 0
说明	功率MOSFET   TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB
起订量	800
最小包	800
现货	1993 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	52A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	63nC
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2900pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
功率	357W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	49 毫欧 @ 26A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB